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结型场效应管

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  • 型号/规格:

    SF10LC20U

  • 品牌/商标:

    Shindengen

  • 封装形式:

    TO-220

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

参数信息: 制造商:Shindengen 产品:Ultra Fast Recovery Rectifiers 配置:Dual Common Cathode 反向电压:200 V 正向电压下降:0.98 V at 5 A 恢复时间:35 ns 正向连续电流:10 ...

  • 型号/规格:

    NCE65T360

  • 品牌/商标:

    NCE新洁能

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

结型场效应管是一种利用耗尽层宽度改变导电沟道的宽窄来控制漏极电流的大小的器件。它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结,形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。P区即为栅极g(G)...

  • 型号/规格:

    FDD390N15A

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特征:

    大功率

品牌ON封装NA批号2031%2B数量1950制造商ON Semiconductor产品种类MOSFETRoHS是安装风格SMD/SMT封装 / 箱体TO-252-3通道数量1 Channel晶体管极性N-ChannelVds-漏源极击穿电压150 VId-...

  • 型号/规格:

    STP3NK90Z

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

型号:STP3NK90Z 品牌:STMicroelectronics 描述:分立式半导体 晶体MOSFET 通孔直插 MOSFET N-CH 900V 3A TO-220FP 产品种类:MOSFET 系列:STP3NK90Z 晶体管极性:N通道 汲极/源极...

  • 型号/规格:

    7N70

  • 品牌/商标:

    XY

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特征:

    中功率

深圳市星宇佳科技有限公司是一家集研发,生产,销售的电子元器件服务商。公司成立于2011年。是原星宇佳电子的转型升级。公司旗下有自主品牌“ING” “XYJ” .其中ING品牌的MOS管系列...

  • 型号/规格:

    4N65

  • 品牌/商标:

    SEP

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

商品属性品牌 SEP 型号 4N65 封装 TO-252批号 2023+ 配置类型 MOSFET场效应管 FET类型 N沟道漏源电压 650V 漏源电流 4A 漏源导通电阻 2.7Ω栅源电压 ±30V 栅极电荷 10.5nC工作温...

  • 型号/规格:

    全系列

  • 品牌/商标:

    美国万代

  • 封装形式:

    TO252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

AOD4186结合先进的沟槽MOSFET技术具有低电阻包提供极低的RDS(ON)。这个装置是理想的低高压变频器的应用。AOD4186参数:VDS(V)=40VID = 35A (VGS = 10V)RDS(ON)< 1...

  • 型号/规格:

    AUIRFS4310ZTRL

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。 <span style="text-alig...

  • 型号/规格:

    STD2NK100Z

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO-252-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

上海意淼电子科技有限公司,代理经销世界众多品牌IC:美国ADI、爱特梅尔(Atmel)、 TI(BB) 、alterA、 美信Maxim(Dallas)、安森美(ON)、 恩智浦NXP(Philips)、仙童(Fairchild)、 三...

  • 型号/规格:

    IXGN400N30A3

  • 品牌/商标:

    艾赛斯

  • 封装形式:

    模块

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    小功率

IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容 可控硅-快速系列,交期快,货源稳,品质保证 代理经销以下品牌功率半导体器件 1:日本三社SanRex:可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块。 2:德国...

  • 型号/规格:

    FDS9953A-NL

  • 品牌/商标:

    NA

  • 封装形式:

    SOP8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

FDS9953A-NL 一手货源 进口原装现货长期供应! 深圳市现代芯城互联网科技有限公司,是国际的电子元件混合型分销商,公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处,专注...

  • 型号/规格:

    STF24N60M2

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO-220FP

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    通孔

  • 包装方式:

    管件

产品编号:STF24N60M2 描述:通孔 N 通道 600 V 18A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP 产品属性STF24N60M2 类型 描述STF24N60M2 选择 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 ...

  • 型号/规格:

    CSD16322Q5C

  • 品牌/商标:

    TI

  • 封装形式:

    VSON-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

Source Content uid CSD16322Q5C Brand Name Texas Instruments 生命周期 Obsolete Objectid 2103867575 包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8 针数 8 Reach Compliance Code not_compl...

  • 型号/规格:

    MJE182G

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    TO-225-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

MJE182G原装ON双极结型晶体管(BJT) 塑料互补 硅功率晶体管 的mje170 / 180系列是专为低功率音频放大器 和低电流,高速开关应用。 特征 &amp;#8226;高直流电流增益 &amp;#8226...

  • 型号/规格:

    AOTF7N60

  • 品牌/商标:

    AO

  • 封装形式:

    TO220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特征:

    大功率

深圳市汇莱威科技有限公司是一家授权、性的电子元器件代理和分销商,销售网络涵盖整个中国及海外。汇莱威科技拥有一支经验丰富、并持有创新意识和不断自我激励的团队;供应AOTF7N60 ...

  • 型号/规格:

    CS1N60A1H

  • 品牌/商标:

    华晶

  • 封装形式:

    TO-92

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

1产品概述:硅N沟道增强VDMOSFETs,CS1N60A1H,获得通过自对准平面技术,减少传导损耗,提高开关性能和增强雪崩能量。可用于各种电源的晶体管系统的小型化和高效率的开关电路。产品封...

  • 型号/规格:

    IKW40N120T2

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    TO-247

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    大功率

IKW40N120T2t标准包装240IGBT 型Trench电压 - 集电极发射极击穿) 1200VVce(on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 40A- 集电极电流(Ic)()75A功率 - 480WInput 型Standard安装类型Throu...

  • 型号/规格:

    77E640

  • 品牌/商标:

    NXP(恩智浦)

  • 封装形式:

    SOT669

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    中功率

77E640 汽车电脑板N沟道MOS场效应管。 深圳创鑫兴电子科技郑重承诺:只做原装! 汽车半导体按种类可分为功能芯片MCU(MicrocontrollerUnit)、功率半导体(IGBT、MOSFET 等)、传感器...

  • 产品类型:

    其他

  • 品牌:

    xessco

  • 型号:

    2SK3018

  • 封装:

    贴片

  • 工作温度范围:

    标准

  • 批号:

    2016+

  • 针脚数:

    标准

  • 材料:

    其他

产品应用产品主要应用于智能科技、物联网、工业控制、家电控制、通信、医疗、航模、无线通讯、仪器仪表、汽车电子、LED智能照明等。 公司使命赛斯科秉承“互惠互利、供求双赢”的经营...

  • 型号/规格:

    IRF630NPBF

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    小功率

产品信息 场效应管 MOSFET N TOV 9.5A 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 9.3A 漏源电压, Vds: 200V 在电阻RDS(上): 300mohm 电压 @ Rds测量: 10V 阈值电压 Vgs: 4V 功耗 Pd: 82W ...

结型场效应管行业资讯

  • 用万用表测试结型场效应管的放大能力 [2007-01-22]

    结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压

  • 如何用万用表测试结型场效应管的放大能力[2007-01-19]

    结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压

什么是结型场效应管?

  •   在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区),就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起,引出一个电极,称为栅极(g),在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极(s)和漏极(d)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道,称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。
  • 结型场效应管

结型场效应管技术资料

  • 结型场效应管的工作原理[2024-01-25]

    为使 N 沟道结型场效应管能正常工作,应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间aD5,加正向电压ups,以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点,又实现了。u.对沟道电流的控制。  u下面通过栅-源电压uc和...

  • 结型场效应管的检测[2023-06-14]

    1.判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极,用红表笔依次触碰另外曲个电极,进行测量。 (3)判断:若两次测得的电阻阻值近似相等,则表明该黑表笔接的是栅极G,另外两个电极分别是源极S和漏极D...

  • 结型场效应管(JFET)的主要参数[2010-06-10]

    (1). 夹断电压VP  当vDS为某一固定值(例如10V),使iD等于某一微小电流(例如50mA)时,栅-源极间所加的电压即夹断电压。  (2). 饱和漏极电流IDSS  在vGS=0的条件下,场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。  (3). 直流输入电阻RGS  它是在漏-...

  • CS系列N沟道结型场效应管[2008-04-23]

    CS系列结型场效应管的主要特性参数见表。  CS系列结型场效应管主要特性参数

  • 3DJ系列N沟道结型场效应管[2008-04-23]

    3DJ系列场效应管的主要特性参数见表。  3DJ列场效应管主要特性参数

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