SI2301ADS-T1-GE3
VISHAY/威世
SOT-23
普通型
贴片式
卷带编带包装
小功率
深圳中元伟业经营世界厂家,MOS管/高频管/场效应管/变容管/电源IC,二三极管等SMD,产品主要应用于民用、工业、军事领域的通讯、网络、仪器仪表、电脑、电视、VCD/DVD、音响、IT等。...
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FDN306P
FAIRCHILD(飞兆)
SOT-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
迪蒙信源电子有限公司是一家的电子器件经销商,经营各类进口IC芯片,二三级管,电阻电容,拥有大量现货库存, 现已成为各中小企业、医疗器材生产企业、研究院、航天研究院、各大专院校、...
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IRF1010EZSTRL
INFINEON(英飞凌)
TO-263
无铅环保型
直插式
单件包装
大功率
Infineon供应IRF1010EZSTRL半导体分立半导体晶体管MOSFET原厂原装芯片规格: Infineon供应IRF1010EZSTRL半导体分立半导体晶体管MOSFET原厂原装芯片的特征: 先进的工...
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BS107ARL1G
ON(安森美)
TO-92
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
安森美BS107ARL1G 场效应管 安森美BS107ARL1G场效应管相关资料: ds-漏源极击穿电压: 200V Id-连续漏极电流:250 mA Rds On-漏源导通电阻:6.4 Ohms 工作温度:+150C 场效应管:场效应晶...
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SI2309
SWIRE
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
19+
型号:SI2309 封装:SOT-23 品牌:SWIRE 类型:低压MOS管/低压MO...
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SI2305
CJ/长电
SOT23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
SI2305 -20V P沟道增强型MOSFET特征SI2305先进的沟槽工艺技术超低导通电阻的高密度电池设计包装尺寸SOT23VDS=-20VRDS(ON),Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A ?笔记SI2305脉冲宽度受zui高结温限...
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AO4805
Alpha
8-SOIC
普通型
贴片式
卷带编带包装
产品简介:MOSFET阵列AO4805芯片类型描述全选 MOSFET阵列AO4805芯片类别 分立半导体产品晶体管FET,MOSFETFET、MOSFET 阵列 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列 -...
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IRF3007S
国际品牌
SMD/DIP
无铅环保型
SMD/DIP
单件包装
大功率
IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S 深圳市现代芯城互联网科技有限公司,是国际知名的电子元件混合型分销商,公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处...
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IRFH5300TRPBF
INFINEON(英飞凌)
DFN56
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
超大功率
MOSFET
mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的...
电话:0755-82797400
手机:13430694776
IPA70R360P7S
INFINEON(英飞凌)
TO-220
无铅环保型
直插式
盒子管装
原装现货长期滚动式备货库存13714450367 NRF52832-QFAA-R NRF52833-QDAA-R NRF52810-QFAA-R ADR01AKSZ-REEL7 LT1964ES5-5#TRMPBF BTS3035EJ TLE4296-2GV50 TLE6250GV33 TLS810B1EJ V3...
电话:13714450367
手机:13714450367
IPDH4N03LA-G
INFINEON(英飞凌)
SMD
普通型
直插式
卷带编带包装
大功率
IPDH4N03LA-G 晶体管 Infineon 产品属性 IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-...
电话:0755-82542579
手机:18098996457
SI4116DY-T1-GE3
VISHAY/威世
SOP-8
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
中功率
N
SI4116DY-T1-GE3 SI4116DY-T1-GE3特征 功率MOSFET 100%Rg和UIS测试 ?材料分类: 有关合规性的定义,请参见 应用 ?同步降压 -低压侧 LMC7211BIM5/NOPB LMP7704MT/NOPB LMR14020QDPRTQ1...
电话:0755-83264115
手机:15889758566
7N65
XY
TO-220F
无铅环保型
直插式
管装
中功率
N沟道
深圳市星宇佳科技有限公司是一家集研发,生产,销售的电子元器件服务商。公司成立于2011年。是原星宇佳电子的转型升级。公司旗下有自主品牌“ING” “XYJ” .其中ING品牌的MOS管系列...
电话:0755-82522195
手机:13682432195【企业微信】
IRF530NPBF
INFINEON(英飞凌)
TO-220
无铅环保型
直插式
单件包装
深圳市维科创电子有限公司 ----在线一站式配单BOM表实时报价---- 因电子产品众多,无法全部上传,找不到型号的可以联系客服咨询报价 电话 13723751947 ( 微信同号) 深圳市维科创电...
电话:0755-23815685
手机:13723751947
IRFP260NPBF
INFINEON(英飞凌)
TO-247AC-3
无铅环保型
直插式
管装
小功率
IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)产品描述: 类别分立半导体产品晶体管FET,MOSFET单 FET,MOSFET制造商Infineon Technologies包装管件零件状态在售FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化...
电话:13691744789
AO3401
SEP
SOT-23
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
商品属性品牌 SEP 型号 AO3401 封装 SOT-23 批号 2023+ 配置类型 贴片MOS管N沟道 FET类型 N沟道漏源电压 20V 漏源电流 2.8A 漏源导通电阻 4.5V栅源电压 12V 栅极电荷 14 工作温度范围...
电话:0755-83681156
手机:18948796978
STF26NM60N
ALGaAS铝镓砷
A/宽频带放大
ST/意法
MOSFET N 通道,金属氧化物
绝缘栅(MOSFET)
增强型
配套团队 全方位一站式配套服务 高效率 高品质 更轻松 更省时 更多详情请咨询销售人员ST功放IC TDA 系列 详情咨询 QQ技术支持: 可提供 图片 PFD资料 本公司是国内实力的电子元器件分...
电话:0755-88377478
DMN2004WK-7
DIODES
SOT-523
普通型
管装
单件包装
大功率
0.7/PCS
20V场效应管N沟道MOSFET/20V场效应管N沟道MOSFET20V场效应管N沟道MOSFET20V场效应管N沟道MOSFET4.4V高电压新型锂电池充电专用芯片耐压12V单节锂电充电芯片,5V输入充电电流可达1A, ...
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手机:13715286762
全系列
美国万代
TO252
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
AOD403/AOI403采用先进沟道技术提供优良的R DS(ON),低栅极电荷和低门阻力。用的优异的耐热性DPAK/ IPAK封装,该器件非常适用于高电流负载应用。AOD403参数:VDS:-30VID (at VGS= ...
电话:0755-83538626
手机:15815503065
HGN021N06SL
恒泰柯
HGD035N08AL
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
低压mosfet低压mosfet特点:高速电源开关,逻辑电平增强体二极管dv/dt能力增强雪崩强度100%的ui测试,100%的Rg测试无铅,无卤素低压mosfet应用:SMPS同步整流硬开关和高速电路在电信...
电话:4008789877
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET,针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥(DAB)、HE...
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT,将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiC MOSFET具...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比, 英飞凌全新的CoolSiC MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下,将MOSFET的...
三菱电机集团近日宣布,将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频(RF)高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)样品,用于商用手持式双向无线电(对讲机)的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池,可实现业界先端的6.5W输出功率,有望扩大商用...
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样,没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。 双脉冲有什么用? 图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图,图 2 中显示了测量数据。 图 1. 基本双脉冲设置,包括两个...
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的场效应晶体管,常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点: 工作原理:结构:MOSFET通常由栅极(Gate)、漏极(Source)...
之前,我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用,但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作,我们需要更详细地检查其频率响应。 在本文中,我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...
放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件,这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑。它们根据哪个晶体管端子是输入、哪个是输出来区分。 在本文中,我们将讨论共源(CS)放大器,它使用栅极作为输入端,漏极作为输出。就交流信...
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器件,涵盖信号放大到数字应用,例如逻辑门和寄存器或存储器阵列。 耗尽型 n 沟道 MOSFET。图片由新泽西半导体产品公司提供 pn结二极管是最基本的...